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星汉激光申请激光芯片及其成型工艺专利有效抑制高阶横模激发
发布时间:2026-02-08 19:19:49 点击量:
金融界2025年8月19日消息,国家知识产权局信息显示,深圳市星汉激光科技股份有限公司申请一项名为“激光芯片及其成型工艺”的专利,公开号CN120511557A,申请日期为2025年07月。
专利摘要显示,本申请提供一种激光芯片及其成型工艺,激光芯片包括激光结构、脊波导结构和钝化层,激光结构的有源区通入电流后,电子和空穴在有源区复合,产生光子,光子通过反复震荡,不断放大,最终形成激光,脊波导结构与激光结构形成耦合,激光结构形成的激光通过耦合进入脊波导结构,脊波导结构形成光的传播通道,对激光的传播范围进行限制,钝化层设置于脊波导结构的两侧,钝化层可实现脊波导结构的绝缘以及为脊波导结构提供防护,由于激光芯片还设置有低密结构,低密结构形成于钝化层,且密度小于钝化层,依托低密结构和钝化层形成的折射率差,实现激光光场在脊波导结构的强约束,从而有效抑制高阶横模激发,提高激光的输出质量。
天眼查资料显示,深圳市星汉激光科技股份有限公司,成立于2017年,位于深圳市,是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本5555.5556万人民币。通过天眼查大数据分析,深圳市星汉激光科技股份有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目17次,财产线条,此外企业还拥有行政许可14个。
